 微線路修改 
測(cè)試鍵生長(zhǎng)
Cross-Section
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芯片分析實(shí)驗(yàn)室 ??FIB性能參數(shù)
- 型號(hào)：FEI DualBeam 820. ?FIB/SEM（離子束/電子束）雙束機(jī)臺(tái)
- 大陸地區(qū)第一臺(tái)投入商業(yè)服務(wù)的Dual-Beam雙束機(jī)臺(tái)
- 精準(zhǔn)分辨率高達(dá)7nm
- 可同時(shí)提供FIB聚焦離子束切割修改與SEM電子束影像觀察
- 微線路切割，鹵素氣體輔助蝕刻
- 縱向切割 Cross-Section
- 深層微沉積，沉積金屬物為白金/鎢
- VC (Voltage Contrast) 電位對(duì)比測(cè)試，判斷連接線(metal, poly, contact, via)之open/ short
- 微線路修改高制程可達(dá)0.13um
- 支持8英寸wafer
| FIB 主要應(yīng)用范圍 |
| 微線路修改（Microcircuit Modification） |
| 可直接對(duì)金屬線做切斷、連接或跳線處理. 相對(duì)于再次流片驗(yàn)證, 先用FIB工具來(lái)驗(yàn)證線路設(shè)計(jì)的修改, 在時(shí)效和成本上具有非常明顯的優(yōu)勢(shì). |
| 測(cè)試鍵生長(zhǎng)（Test Pad/Probing Pad Building） |
| 在復(fù)雜線路中任意位置鍍出測(cè)試鍵, 工程師可進(jìn)一步使用探針臺(tái)(Probe station) 或 E-beam 直接觀測(cè)IC內(nèi)部信號(hào). |
| 縱向解剖 Cross-section |
| SEM掃描電鏡/TEM透射電鏡的樣片制備. |
| VC電勢(shì)對(duì)比測(cè)試（Voltage Contrast） |
利用不同電勢(shì)金屬受離子束/電子束照射后二次電子產(chǎn)量不同致使其影像形成對(duì)比的原理，判斷metal, poly, contact, via之open/short
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FIB 原 理
靜電透鏡聚焦的高能量鎵離子, 經(jīng)高壓電場(chǎng)加速后撞擊試片表面, 在特定氣體協(xié)作下產(chǎn)生圖像并移除或沉淀(連接)
物質(zhì), 其解析度為亞微米級(jí)別. 離子束實(shí)體噴濺加以鹵素氣體協(xié)作, 可完成移除表面物質(zhì) (縱向解剖/開(kāi)挖護(hù)層、切
斷金屬線), 離子束噴濺與有機(jī)氣體協(xié)作則可完成導(dǎo)體沉積 (金屬線連接、測(cè)試鍵生長(zhǎng)). |
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